USCI sic 碳化硅器件 UJ3C120080K3S

USCI碳化硅器件的主要优势·低Rdson·灵活的栅极驱动：易于直接更换IGBT、硅或其他碳化硅MOSFET设计，或使用0V至12V简单栅极驱动，节省BOM成本·低热阻：允许更高的RMS电流，提供更多的输出功率·ESD保护：HBMClass2级别保护，确保栅极上的过压尖峰被钳位

价格 订货量

微信在线

在线联系获取最低报价

深圳市英特洲电子科技有限公司入驻平台第6年

产品分类

获取最低报价微信在线

品牌：USCI	型号：UJ3C120080K3S	封装：TO247
批号：18	漏源导通电阻(RDS On)：80mohm	应用领域：***/航天、汽车电子、医疗电子、照明电子、新能源

USCI sic 碳化硅器件 UJ3C120080K3S详细介绍

我司代理了美国USCI的Sic MOS产品，结构为cascode，里面是一个低压快速si mos加一个sic Jfet搭建组成的，驱动简单，是不需要负压控制的，产品通过汽车认证，目前国内多家新能源客户厂家在批量使用。提供产品与fae支持。欢迎来联系苏先生

产品推荐

免责声明：: 本页面所展现的公司信息、产品信息及其他相关信息，均来源于其对应的商铺，信息的真实性、准确性和合法性由该信息来源商铺的所属发布者完全负责，供应商网对此不承担任何保证责任。